中新網北京12月30日電 (王詩垠)中國集成電路行業單體投資最大的項目——總投資240億美元的國家存儲器基地項目，12月30日在武漢東湖高新區正式動工建設。

來自紫光集團的消息，該項目由國家集成電路產業基金、清華控股成員企業紫光集團、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設，主要生產存儲器芯片，總占地面積1968畝。湖北省副省長許克振今天宣布國家存儲器基地項目正式開工。

集成電路是信息技術產業的核心，是支撐社會經濟發展和保障國家信息安全、產業安全的戰略性、基礎性和先導性產業。據預測，存儲芯片目前在整個芯片市場占比超過25%，未來將達到45%左右。

國家存儲器基地項目12月30日在武漢正式動工建設。這是中國集成電路行業單體投資最大的項目，總投資240億美元。圖為國家工信部副部長劉利華在開工儀式上發表講話。　王詩垠 攝

紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國在現場介紹項目情況時強調，國家存儲器基地正式動工建設，具有特殊意義：

一是存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破，相當于中國科技領域的航空母艦出海試航；

二是存儲器基地項目的運作，是一種新模式的成功探索，這種新模式就是“國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作”的三合一；

三是存儲器基地項目投資強度大，是中國集成電路行業單體投資最大的項目，也是湖北省最大的投資項目，也是中國最大的單體投資項目。

工業和信息化部、國家發改委相關領導表示，國家存儲器基地項目的實施，必將進一步帶動湖北省、武漢市集成電路產業發展，推動中部地區崛起和經濟專型升級，促進我國集成電路產業向更高水平發展。中央部委將會同有關部門和地方，加強規劃引導，大力推動、重點支持國家存儲器基地項目建設，著力促進產業集聚和產業鏈協同。

此次正式開工建設的國家存儲器基地項目。位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

國家存儲器基地項目12月30日在武漢正式動工建設。該項目由國家集成電路產業基金、紫光集團、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。圖為項目投資方代表在現場調研。　王詩垠 攝

據悉，位于武漢的國家存儲器基地項目將以芯片制造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體。項目建成后，以此為龍頭將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展，將為中國打破主流存儲器領域空白，實現產業和經濟跨越發展提供重要支撐。

目前，湖北省和武漢市正在舉全省、全市之力，聚全球資源，將這一項目打造成湖北省調結構、實現轉型跨越發展的千億高科技產業項目。此前，湖北省已擁有芯片設計、制造、封裝材料等相關企業60多家，武漢則是國家重點支持的集成電路四大產業聚區之一。

作為項目承載地的武漢東湖高新區，正在加快引進芯片設計、封裝測試等環節的重點企業，積極打造集成電路產業生態體系，并正在組建武漢國際微電子學院、集成電路工業研究院、國家IP交易中心，努力打造世界級的集成電路產業創新中心。(完)