中新網(wǎng)北京12月30日電 (王詩垠)中國集成電路行業(yè)單體投資最大的項目——總投資240億美元的國家存儲器基地項目，12月30日在武漢東湖高新區(qū)正式動工建設。

來自紫光集團的消息，該項目由國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、清華控股成員企業(yè)紫光集團、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設，主要生產(chǎn)存儲器芯片，總占地面積1968畝。湖北省副省長許克振今天宣布國家存儲器基地項目正式開工。

集成電路是信息技術產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐社會經(jīng)濟發(fā)展和保障國家信息安全、產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產(chǎn)業(yè)。據(jù)預測，存儲芯片目前在整個芯片市場占比超過25%，未來將達到45%左右。

國家存儲器基地項目12月30日在武漢正式動工建設。這是中國集成電路行業(yè)單體投資最大的項目，總投資240億美元。圖為國家工信部副部長劉利華在開工儀式上發(fā)表講話。　王詩垠 攝

紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國在現(xiàn)場介紹項目情況時強調(diào)，國家存儲器基地正式動工建設，具有特殊意義：

一是存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破，相當于中國科技領域的航空母艦出海試航；

二是存儲器基地項目的運作，是一種新模式的成功探索，這種新模式就是“國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作”的三合一；

三是存儲器基地項目投資強度大，是中國集成電路行業(yè)單體投資最大的項目，也是湖北省最大的投資項目，也是中國最大的單體投資項目。

工業(yè)和信息化部、國家發(fā)改委相關領導表示，國家存儲器基地項目的實施，必將進一步帶動湖北省、武漢市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動中部地區(qū)崛起和經(jīng)濟專型升級，促進我國集成電路產(chǎn)業(yè)向更高水平發(fā)展。中央部委將會同有關部門和地方，加強規(guī)劃引導，大力推動、重點支持國家存儲器基地項目建設，著力促進產(chǎn)業(yè)集聚和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。

此次正式開工建設的國家存儲器基地項目。位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

國家存儲器基地項目12月30日在武漢正式動工建設。該項目由國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、紫光集團、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。圖為項目投資方代表在現(xiàn)場調(diào)研。　王詩垠 攝

據(jù)悉，位于武漢的國家存儲器基地項目將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設計、技術研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體。項目建成后，以此為龍頭將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產(chǎn)業(yè)相關環(huán)節(jié)的發(fā)展，將為中國打破主流存儲器領域空白，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟跨越發(fā)展提供重要支撐。

目前，湖北省和武漢市正在舉全省、全市之力，聚全球資源，將這一項目打造成湖北省調(diào)結(jié)構(gòu)、實現(xiàn)轉(zhuǎn)型跨越發(fā)展的千億高科技產(chǎn)業(yè)項目。此前，湖北省已擁有芯片設計、制造、封裝材料等相關企業(yè)60多家，武漢則是國家重點支持的集成電路四大產(chǎn)業(yè)聚區(qū)之一。

作為項目承載地的武漢東湖高新區(qū)，正在加快引進芯片設計、封裝測試等環(huán)節(jié)的重點企業(yè)，積極打造集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，并正在組建武漢國際微電子學院、集成電路工業(yè)研究院、國家IP交易中心，努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。(完)

標簽： 武漢 存儲器 總投資